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LTH BOPP附着力

例如,LTH BOPP附着力氢原子的光谱是一个简单的原子光谱。有一个独立的光谱系统。可见光区只有一条线,巴尔默线。四个较亮的线具有以下光谱线。 H & ALPHA;-656.28 NM,H & BETA;-486.13 NM,H & GAMMA;-434.05 NM,H & DELTA;-410.18 NM。对于一些简单的分子,其能级结构对应的发射光谱也可以是线性光谱,如AR光谱。请参见图 2-2。

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原子光谱一般为线状光谱,LTH BOPP附着力如氢原子的光谱是简单的原子光谱,它有相互独立的光谱系,其中只有一个线系在可见光区,即巴耳末线系,比较明亮的四条谱线是:Hα-656.28 nm,Hβ-486.13 nm,Hγ-434.05 nm, Hδ-410.18 nm。对于一些简单分子,与能级结构相对应的发射光谱也有可能是线状光谱,如 Ar的光谱,见图2-2。

通常认为,LTH BOPP附着力当有机半导体层/电极界面的电势垒高度△E<0.4eV时,电极与有机半导体层之间可以形成欧姆接触,对于P型OFET来说,其高已占轨道能级为-4.9eV至-5.5eV,且需选用功函数较高的,常用的有Au(-4.8eV-5.1eV)和ITO(-5.1eV)。普通ITO由于其功函数较低,要求采用进步功函数,因此能利用好准13.56MHz频率VP-R3低温等离子发生器对其进行改进。。

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